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公开/公告号CN111181490B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN202010001804.9
发明设计人 韦学勇;徐柳;
申请日2020-01-02
分类号H03B5/18(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人高博
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2022-08-23 13:06:06
机译: 基于多孔硅密封气穴技术或微通道技术的低功耗硅热传感器和微流控设备
机译: 基于多孔气孔技术或微通道技术的低功耗硅热传感器和微流控设备
机译: “基于使用多孔硅密封气穴技术或微通道技术的低功率硅热传感器和微流体设备”
机译:结合使用基于同步辐射的微X射线荧光,微X射线衍射,微X射线吸收近边缘和微傅里叶变换红外光谱技术,揭示了Y族中C色素Y的另一种降解途径梵高的一幅画
机译:使用基于同步加速器的技术了解飞秒激光硫超掺杂硅的子带隙吸收
机译:基于CFD和非硅MEMS技术的高功率芯片一种微通道散热器优化
机译:使用同步加速器产生的超软X射线的微辐照技术:改变细胞内剂量沉积以研究放射生物学机制。
机译:飞秒激光硫超掺杂硅的子带隙吸收的理解使用基于同步加速器的技术
机译:基于同步噪声消除,主动干扰消除和N路径混合滤波的混合硅上蓝宝石/标定CmOs干扰减轻前端。