晶圆级封装芯片通孔互连的方法以及芯片的测试方法

摘要

本发明提供了一种晶圆级封装芯片通孔互连的方法以及芯片的测试方法，所述晶圆级封装芯片通孔互连的方法包括：提供第一芯片；在所述第一芯片上形成有具有第一开口的钝化层，以露出所述第一芯片上的第一焊垫；在所述第一芯片上涂覆聚合物层并固化所述聚合物层，以填充所述第一开口；提供器件晶圆，将形成了聚合物层的所述第一芯片接合在所述器件晶圆上；蚀刻所述器件晶圆和所述聚合物层，以形成第一通孔，露出所述第一焊垫；在所述第一通孔中形成插塞以与所述第一焊垫电连接。所述方法可防止在蚀刻后由于气泡而产生底切(under cut)，避免了导电材料沉积以及金属连接不上的问题，进一步提高了封装的性能和良率。