一种用于1550nm波长激光器的半导体外延晶片

摘要

本发明公开了一种用于1550nm波长激光器的半导体外延晶片，包括n‑InP衬底及衬底依次向上的盖层、限制层、势垒层、量子阱、限制层、保护层、稀释波导层、盖层、过渡层、欧姆接触层；分为衬底材料、无源波导区、有源区、稀释波导区、脊型波导，通过降低1550nm波长激光器光子腔内的内部损耗的半导体外延晶片在p层材料中吸收来提升半导体激光器的光功率；盖层、过渡层和欧姆接触层构成的脊型波导结构来增加半导体激光器外延结构中增强光的横向限制提升1550nm波长激光器半导体外延晶片光场分布。