一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法

摘要

本发明公开了一种制备低栅扩展电容SOI体接触器件的方法，包括：A、在SOI顶层硅上生长并剥离一层牺牲氧化层，进行N场注入和P场注入，对得到的器件进行电学隔离；B、在电学隔离后的器件表面热生长一层二氧化硅，注入杂质，穿透热生长的二氧化硅层，调节阈值电压；C、在热生长的二氧化硅层上化学气相淀积一层二氧化硅，增加一层栅扩展光刻版，以光刻胶为掩膜，对热生长及淀积的二氧化硅进行刻蚀；D、去胶，然后低温热生长一层高质量栅氧化层，化学气相淀积一层多晶硅，对淀积的多晶硅进行离子注入；E、退火，利用栅版光刻版对多晶硅进行刻蚀并去胶。利用本发明，减小了SOI体接触器件的栅扩展电容，提高了电路的工作速度，降低了电路的功耗。