公开/公告号CN108352412B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 麦克姆技术解决方案控股有限公司;
申请/专利号CN201680064508.5
申请日2016-09-07
分类号H01L31/00(20060101);H01L21/28(20060101);H01L31/0248(20060101);
代理机构11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人谢攀;刘继富
地址 美国马萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 13:02:35
机译: 减少III族氮化物材料半导体结构中的寄生沟道
机译: III族氮化物材料半导体结构中的寄生沟道缓解
机译: 包括具有III族氮化物半导体晶体的微细壁状结构的III族氮化物结构以及包括具有III族氮化物半导体晶体的微细壁状结构的III族氮化物的制造方法