公开/公告号CN110534514B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910837060.1
申请日2019-09-05
分类号H01L27/088(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/40(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 13:02:23
机译: 具有具有多个电场弛豫沟槽的终端结构的高压沟槽型MOS器件
机译: 功率半导体器件的高压终端结构
机译: 功率半导体器件的高压终端结构