一种可集成功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种可集成功率半导体器件及其制造方法，包括集成于同一芯片上的纵向高压器件、第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件、第二高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压Diode器件，第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件、第二高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压Diode器件均采用介质隔离，第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件采用多沟道设计，第二高压pLDMOS器件采用单沟道设计，本发明提出一种部分埋氧的集成技术，采用离子注入等方式形成埋氧层，这种技术可集成横向高压器件、纵向高压器件以及低压器件，且无漏电流与串扰问题，相比横向高压器件而言，具有更低的导通电阻且占用更小的芯片面积。