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目录
第一章 绪 论
1.1 电力电子技术
1.2 智能功率集成电路
1.3 功率半导体器件
1.4 平面结边缘终端技术和优化横向变掺杂理论
1.5 本章小结
1.6 本文的主要研究工作
第二章 优化横向变掺杂智能功率集成技术
2.1 优化横向变掺杂理论的应用
2.2 实现工艺简介
2.3 发展前景
2.4 本章小结
第三章 一种可用于高侧的新型优化横向变掺杂P-LDMOS
3.1 高侧功率器件使用P-LDMOS的优点
3.2 新型双通道导电的P-LDMOS
3.3 发展前景
3.4 本章小结
第四章 一种新型的优化横向变掺杂低侧功率器件
4.1 结构原理
4.2 仿真结果
4.3 版图设计
4.4 实验结果
4.5 本章小结
第五章 一种提高优化横向变掺杂产品之成品率的手段
5.1 结构原理与仿真结果
5.2 设计方法
5.3 实验结果
5.4 本章小结
第六章 一种基于优化横向变掺杂理论的新型结边缘终端技术
6.1 结构原理
6.2 仿真结果和应用方法
6.3 本章小结
第七章 全文总结
致谢
参考文献
攻读博士学位期间取得的成果