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一种芯片无压烧结互连用纳米铜浆及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种芯片无压烧结互连用纳米铜浆及其制备方法与应用,制备方法包括纳米铜制备和铜浆混合两个步骤。纳米铜的制备是将反应液倒入温度为80‑120℃且持续加热的还原液中,搅拌下反应,反应结束后离心,清洗后得到纳米铜颗粒。纳米铜制备的反应液和还原液均含有多元酸和胺类添加剂混合而成的复合包覆剂,制备的纳米铜粒子是尺寸呈双峰分布特征的纳米聚集体。本发明中纳米铜的制备是以互连用烧结铜浆为应用背景,制备所用包覆剂及复配溶剂在烧结中完全挥发或分解并具备还原效应,尺寸双峰分布的纳米铜颗粒能实现低温烧结的同时形成大量密实互连,从而使得浆料能在无压条件下实现高效烧结与高性能互连。

著录项

  • 公开/公告号CN111975011B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN202010696203.4

  • 发明设计人 周敏波;吴雪;黄海军;张新平;

    申请日2020-07-20

  • 分类号B22F9/24(20060101);B22F1/00(20060101);H01L23/52(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人李本祥

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 13:01:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-18

    授权

    发明专利权授予

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