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公开/公告号CN109270793B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏艾森半导体材料股份有限公司;
申请/专利号CN201811451678.6
发明设计人 向文胜;张兵;赵建龙;朱坤;陆兰;
申请日2018-11-30
分类号G03F7/039(20060101);
代理机构11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人汤东凤
地址 215000 江苏省苏州市昆山市千灯镇黄浦江路1647号
入库时间 2022-08-23 13:01:02
机译: 用于厚膜,厚膜光致抗蚀剂层状产品,厚膜抗蚀剂图案的生产方式和生产方式的化学放大模具正性光刻胶成分
机译: 用于化学放大型正性光刻胶组合物的厚膜的制造方法和厚膜抗蚀剂图案
机译: 用于化学放大正性光刻胶组合物的厚膜的制造方法和厚膜抗蚀剂图案
机译:含芴单元的卟啉的多酚衍生物:用于22纳米光刻的合成和正性光刻胶
机译:基于重氮萘醌的光敏化合物高效液相色谱法用于正性光刻胶的研究
机译:用于控制有机基质上细胞培养形状的正性光刻胶的开发
机译:用于高分辨率正性光刻胶(IV)的Novolak设计:用于高性能正性光刻胶的串联型线型酚醛清漆树脂
机译:高级光刻胶材料的设计和研究:减少环境影响的正性光刻胶和用于157 nm光刻的材料。
机译:在非洁净室环境中使用干膜光刻胶对用于微流控设备的软光刻母版进行快速原型制作
机译:用于制造高性能半导体集成电路的正性光刻胶的研究
机译:用于混合微电路制造的正性光刻胶的红外烘烤。