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公开/公告号CN110571311B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学技术大学;
申请/专利号CN201910699756.2
发明设计人 孙海定;龙世兵;刘明;
申请日2019-07-30
分类号H01L33/06(20100101);H01L33/24(20100101);H01L33/32(20100101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周天宇
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
入库时间 2022-08-23 12:57:32
机译: 多量子阱结构,光电器件外延晶片和光电装置
机译: 通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
机译: 高能离子注入法制备晶格状INGAAS / INGAASP多量子阱结构的光电器件外延结构及其制造方法
机译:具有InGaN / GaN多量子阱结构的基于氮化物的发光二极管和光电探测器双功能器件
机译:适用于高性能电子和光电器件的二维材料的双支撑层,用于高性能电子和光电器件
机译:光电器件:低温燃烧合成的氧化镍薄膜,作为溶液处理光电器件的空穴传输中间层(Adv。Energy Mater。6/2014)
机译:无杂质空位扩散对高级光电器件的InGaAs / GaAs多量子阱结构无序及其集成
机译:有机光电半导体器件的研究:阳极表面蚀刻,在新颖的集成结构中的应用以及对光电器件中光电流特性的分析。
机译:生物模拟能量存储系统通过光伏器件组合和由天线相关光电系统II的激发的光伏器件和电化学细胞的组合来氢转换为氢气
机译:多功能光电器件:基于非对称有源层结构的多功能光电器件(ADV。Funct。Mater。17/2019)
机译:在第337-Ta-669号调查事项中,某些光电器件及其组件和含有该光电器件的产品。