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一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件

摘要

一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件,其中,多量子阱结构由交替生长的量子阱层和量子垒层组成,每一量子阱层和量子垒层为不平整结构。通过将多量子阱结构的量子阱层和量子垒层设置为组分不均匀、结构不平整的结构,提高了载流子的光复合效率、内量子效率、发光效率,并将其应用于光电器件外延片及光电器件中,实现了大功率发光二极管、大功率发光激光器、大功率发光探测器器件的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN110571311B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN201910699756.2

  • 发明设计人 孙海定;龙世兵;刘明;

    申请日2019-07-30

  • 分类号H01L33/06(20100101);H01L33/24(20100101);H01L33/32(20100101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周天宇

  • 地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

  • 入库时间 2022-08-23 12:57:32

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