制造包含薄半导体层的结构的方法、所获得的中间结构以及该方法的应用

摘要

一种制造包括从晶片(10)获得的半导体材料的薄层的结构的方法，晶片(10)包括：晶格参数匹配层(2)，该晶格参数匹配层(2)包括具有第一晶格参数的半导体材料的上层；半导体材料的膜(3)，其具有基本上不同于第一晶格参数的标称晶格参数并被匹配层(2)应变；具有基本上与第一晶格参数相同的标称晶格参数的松弛层(4)，该方法包括松弛层(4)和应变膜(3)向接收衬底(5)的转移。还提供根据本发明的工艺之一制造的结构。