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公开/公告号CN107548519B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201680022710.1
发明设计人 T·迈尔;A·沃尔特;
申请日2016-04-19
分类号H01L23/498(20060101);H01L23/522(20060101);H01L21/60(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 12:56:53
机译: 通过具有用于半导体器件的高纵横比的电介质导电路径
机译: 用于功率半导体工程领域的半导体器件通过绝缘填充层在导电路径层之间具有金属间电介质,从而在电介质上形成氮化硅氮氧化物层
机译:具有Ga_2O_3(Gd_2O_3)高K电介质的InGaAs金属氧化物半导体器件,用于科学技术以外的Si CMOS
机译:基于高k电介质的金属氧化物半导体结构的纳米级和器件级栅极导电变异性
机译:极性相关的热化学E模型,用于描述具有超薄栅极电介质的金属氧化物半导体器件中随时间变化的电介质击穿
机译:纳米电子器件中超薄SiON和高k栅极电介质中纳米尺寸导电路径的物理分析概述
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:永久电化学掺杂的稳定性冷冻中的量子点富勒烯和导电聚合物薄膜的制备用于半导体器件的电解质
机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:推动高Kappa电介质的材料限制,用于超过si CmOs等的科学/技术的高载流子迁移率半导体。