用于半导体器件的具有高高宽比的穿过电介质的导电路径

摘要

描述了用于半导体器件的具有高高宽比的穿过电介质的导电路径。在一个示例中，在半导体基底上形成多个导电连接焊盘，以连接到形成在所述基底上的电路。在连接焊盘的子集中的每个连接焊盘上形成柱，该柱由导电材料形成。在半导体基底之上，包括在连接焊盘和柱之上形成电介质层。通过去除直接位于柱之上的电介质层来形成孔。利用导电材料填充所形成的孔，并在每个填充的孔之上形成连接器。