公开/公告号CN109942851B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州福斯特电子材料有限公司;
申请/专利号CN201910213499.7
申请日2019-03-20
分类号C08J5/18(20060101);C08L79/08(20060101);C08K9/02(20060101);C08K7/26(20060101);C08K7/24(20060101);C08G73/10(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人邱启旺
地址 311300 浙江省杭州市临安区锦北街道福斯特街8号1幢212
入库时间 2022-08-23 12:55:48
机译: 用低介电常数的二氧化硅颗粒和聚酰亚胺薄膜制造聚酰亚胺薄膜的方法
机译: 用低介电常数的二氧化硅颗粒和聚酰亚胺薄膜制造聚酰亚胺薄膜的方法
机译: 用多孔颗粒制备聚酰亚胺薄膜的方法和低介电常数的聚酰亚胺薄膜