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一种低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜及应用

摘要

本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜及应用,包括多孔纳米粒子的氟化过程,氟化多孔纳米粒子与聚酰亚胺前体溶液的杂化过程、杂化体系的成膜过程。多孔纳米粒子为二氧化硅、沸石、MCM‑41及SBA‑15分子筛中的一种或多种。多孔纳米粒子的介电常数较低,通过表面氟化处理后,可以进一步降低其介电常数损耗。将氟化多孔纳米粒子与聚酰亚胺前体溶液复合,可以使氟化多孔纳米粒子在最终聚酰亚胺薄膜中具有良好的分散性,并使得杂化薄膜的介电常数得以降低。上述低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜具有低介电常数、低介电损耗、高机械性能及耐热性能,可以应用5G通信、高速汽车传感系统等高频高速电子电路领域。

著录项

  • 公开/公告号CN109942851B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州福斯特电子材料有限公司;

    申请/专利号CN201910213499.7

  • 发明设计人 曹春;李伟杰;周光大;林建华;

    申请日2019-03-20

  • 分类号C08J5/18(20060101);C08L79/08(20060101);C08K9/02(20060101);C08K7/26(20060101);C08K7/24(20060101);C08G73/10(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人邱启旺

  • 地址 311300 浙江省杭州市临安区锦北街道福斯特街8号1幢212

  • 入库时间 2022-08-23 12:55:48

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