直拉硅单晶生长系统中磁场电源的控制方法

摘要

本发明公开了直拉硅单晶生长系统中磁场电源的控制方法，具体步骤如下：在当前k时刻获得系统采样信号，将负载电压vos(k)与目标电压vf(k)比较形成偏差信号Δv(k)输入外环无模型自适应控制器，内环MLD模型根据当前时刻的采样信号以及当前时刻的控制量u(k)进行模型状态更新；计算得到电感电流参考值Iref(k)和内环MLD模型更新完毕的模型状态xm(k)；模型预测控制器根据Iref(k)以及当前时刻的模型状态xm(k)计算下一时刻的控制量u(k)，将得到的控制量施加到被控系统以及内环MLD模型中。本发明实现了具有感性负载特性的磁场电源的精确控制。与传统控制方法相比，系统参数与模型参数一致时提高了系统稳定性以及控制精度；当系统参数发生变化导致模型失配时，也可以通过内外环调节使系统稳定。