锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜

摘要

披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物，这些组合物包含具有下式的第4族过渡金属前体：L2‑M‑C4AR3‑3‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L′]‑、L2‑M‑(C3(m‑A2)R2‑4‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L′]‑、L2‑M‑(C5AR4‑4‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L′]、以及L2‑M‑(C4(m‑A2)R3‑4‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L′]‑，其中M为Ti、Zr、或Hf；每个A独立地为N、Si、B或P；每个E独立地为C、Si、B或P；m和n独立地为0、1或2；m+n>1；每个R独立地为H或C1‑C4烃基；每个L独立地为选自由以下组成的组的‑1阴离子配体：NR′2、OR′、Cp、脒基、β‑二酮或酮亚胺，其中R′为H或C1‑C4烃基；且L′为NR″或O，其中R′为H或C1‑C4烃基。还披露了合成和使用所披露的前体以经由气相沉积过程在一个或多个基材上沉积含第4族过渡金属的膜的方法。