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一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括,金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体,先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体,然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体,发生化学气相沉积反应;或,先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离,然后向电离后的气体中通入金属前驱体,发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法,其所通过金属前驱体不参与电离,避免金属对等离子体的抑制作用,从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。

著录项

  • 公开/公告号CN110396675B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN201910620314.4

  • 发明设计人 黄邦斗;刘泽慧;章程;邵涛;

    申请日2019-07-10

  • 分类号C23C16/34(20060101);C23C16/511(20060101);

  • 代理机构11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司;

  • 代理人李静

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2022-08-23 12:53:32

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