公开/公告号CN110396675B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院电工研究所;
申请/专利号CN201910620314.4
申请日2019-07-10
分类号C23C16/34(20060101);C23C16/511(20060101);
代理机构11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司;
代理人李静
地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号
入库时间 2022-08-23 12:53:32
机译: 一种使用原位hφ2φ等离子体去除pecvd(等离子体增强化学气相沉积)-氟化物残留的方法
机译: 用于沉积氮化硅或氮氧化硅的等离子体增强化学气相沉积工艺,用于制造一种这样的层布置的方法以及层布置
机译: 用于沉积氮化硅或氮氧化硅的等离子体增强化学气相沉积工艺,用于制造一种这样的层布置的方法以及层布置