真空环境下晶圆低温键合方法

摘要

本发明涉及一种真空环境下晶圆低温键合方法，其包括如下步骤：步骤1、第一晶圆、第二晶圆相对应键合界面裸露于真空腔室的真空环境中；步骤2、利用工作气体的等离子体对第一晶圆、第二晶圆相应的键合界面进行活化处理；步骤3、关闭等离子体源，并停止将工作气体引入真空腔室内，以使得真空腔室能达到所需的真空状态；步骤4、在第一晶圆的键合界面与第二晶圆的键合界面贴合接触至所需的时间后，能使得第一晶圆与第二晶圆键合固定；步骤5、打开键合夹具并取出键合连接后的第一晶圆与第二晶圆。本发明采用表面等离子体对晶圆表面进行物理轰击活化的方法，促进晶圆表面悬挂键的形成，从而能实现真空环境中的低温甚至是常温的晶圆直接键合。