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一种氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相的低温化制备方法

摘要

一种氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相的制备方法,包括:将氧化钇稳定的氧化锆置入腔室中的靶材托上,并将所述腔室抽真空;将Al2O3基底处理后置入所述腔室,并将所述腔室抽真空;将所述腔室内的所述Al2O3基底加热至第一预设温度后,通入氧气,并将腔室内的压强维持在第一预设压强范围内;开启激光器进行薄膜沉积;沉积后以第一预设速率对所述腔室降温,降温至第二预设温度后,得到沉积于所述Al2O3基底上的具有多畴结构的氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相薄膜。通过本发明的制备方法,可以在相对较低的温度下获得稳定存在的纳米晶YSZ非平衡四方相。

著录项

  • 公开/公告号CN111020494B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;

    申请/专利号CN201911253783.3

  • 发明设计人 杨丽;李俊宝;周益春;朱旺;

    申请日2019-12-09

  • 分类号C23C14/28(20060101);C23C14/08(20060101);

  • 代理机构11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑久兴

  • 地址 411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号

  • 入库时间 2022-08-23 12:52:43

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