退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110158031B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 郑州大学;
申请/专利号CN201910383657.3
发明设计人 陈永生;郭海中;潘玲;
申请日2019-05-08
分类号C23C14/08(20060101);C23C14/26(20060101);
代理机构11646 北京超成律师事务所;
代理人孔默
地址 450000 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号
入库时间 2022-08-23 12:51:58
机译: P型导电SB掺杂的SNO 2 Sub>薄膜,氧化锡均质PN结包含相同的薄膜及其制备方法
机译: 薄膜半导体器件,薄膜半导体器件制造方法,液晶显示器件,液晶显示器件制造方法,电子器件,电子器件制造方法以及薄膜半导体器件,液晶显示器,液晶显示器的制造工艺,电子设备。电子设备的制造工艺和薄膜沉积工艺)
机译: 用于氧化物薄膜的组合物,该组合物的制备方法,使用该组合物形成氧化物薄膜的方法,包括该氧化物薄膜的电子器件以及包括该氧化物薄膜的半导体器件
机译:中国的光学薄膜制造商石英光敏电力对应于LED,医疗装置,半导体器件半导体薄膜膜形成技术,以及半导体的半导体薄膜膜形成技术
机译:从官能化烷基前体的低温等离子体增强原子层沉积锡(IV)氧化物:基于SnO2的薄膜晶体管器件的制造和评估
机译:用于CdS / CdTe薄膜太阳能电池的R-F磁控溅射镉氧化锡(Cd2SnO4)薄膜的光电性能
机译:四氯化锡和四甲基锡前体制备的SnO_2薄膜的表征
机译:纳米针状富锡SnO薄膜的材料生长和光电性能。
机译:永久电化学掺杂的稳定性冷冻中的量子点富勒烯和导电聚合物薄膜的制备用于半导体器件的电解质
机译:多晶硅薄膜的形成及其在薄膜半导体器件中的应用
机译:用四氯化锡和四甲基锡前体制备snO2薄膜的表征