一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法

摘要

本发明公开了一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：淀积侧墙材料，将所述鳍部和栅极覆盖；步骤S03：对所述侧墙材料执行以沉积保护层为目的的第一干法刻蚀，至少在所述鳍部的顶面上形成保护层；步骤S04：继续对所述侧墙材料执行以刻蚀去除为目的的第二干法刻蚀，对所述鳍部侧壁上的侧墙材料进行去除；步骤S05：循环重复步骤S03和步骤S04，直至将所述鳍部侧壁上的侧墙材料去除干净。本发明可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，降低了工艺成本。