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抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备

摘要

本发明提供了一种抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备,属于半导体技术领域。抛光垫的制备方法包括:制备抛光垫过渡结构,所述抛光垫过渡结构形成有多个凹槽,所述多个凹槽的开口位于所述抛光垫过渡结构的同一侧表面;利用无机纳米粒子填充满所述抛光垫过渡结构的凹槽;在所述抛光垫过渡结构上浇筑液态聚合物与固化剂的混合物,抽去液态聚合物和所述凹槽内的空气;将所述抛光垫过渡结构置于高于等于第一温度阈值的环境中,固化后的液态聚合物与所述抛光垫过渡结构组成所述抛光垫。本发明能够降低抛光垫的热膨胀系数。

著录项

  • 公开/公告号CN110614580B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201911006629.6

  • 发明设计人 郭宇轩;赵晟佑;

    申请日2019-10-22

  • 分类号B24B37/26(20120101);B24B37/24(20120101);

  • 代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;

  • 代理人许静;张博

  • 地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室

  • 入库时间 2022-08-23 12:49:37

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