半导体结构及形成方法、静态随机存取存储器及形成方法

摘要

一种半导体结构及形成方法、以及静态随机存取存储器及形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括相邻的器件区，器件区基底表面具有第一鳍部；在基底表面形成隔离结构，隔离结构顶部低于第一鳍部顶部，且覆盖第一鳍部部分侧壁，隔离结构包括第一区和第二区，第一区和第二区分别与各第一鳍部相对两侧侧壁接触，第一区位于相邻第一鳍部之间，第一区隔离结构顶部高于第二区隔离结构顶部；以隔离结构为掩膜，在第一鳍部内形成第一掺杂层，部分第一掺杂层位于第二区；在第一掺杂层和基底表面、以及第一鳍部侧壁形成介质层，介质层内具有第一接触孔，第一接触孔底部暴露出第一掺杂层顶部和第二区第一掺杂层侧壁。所形成器件性能较好。