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公开/公告号CN111999611B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 南京航空航天大学;
申请/专利号CN202010803271.6
发明设计人 李世民;孔凡珺;张潮海;
申请日2020-08-11
分类号G01R31/12(20060101);G01R31/327(20060101);
代理机构42244 武汉维盾知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人彭永念
地址 210001 江苏省南京市秦淮区御道街29号
入库时间 2022-08-23 12:36:53
机译: 一种用于提高介电强度并改善绝缘距离的漏电流行为的方法,以及该方法在真空灭弧室中的应用
机译: Mosfet端接设计和核心单元配置可提高击穿电压并提高器件的耐用性
机译: 提高集成电容器的击穿电压的方法以及通过该方法制造的电容器
机译:真空灭弧室中金属蒸气污染的氧化铝陶瓷的击穿电压
机译:新型对称4H-SiC MESFET:提高击穿电压的有效方法
机译:TCAD仿真研究提高了SOI薄膜双极晶体管的击穿电压,降低了准饱和度以及自热效应,从而提高了可靠性:
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机译:高精度农业技术的开发和提高花生(Arachis Hypogaea L.)的种植决策的方法,以提高农场和现场水平的生产率和质量
机译:加拿大安大略省的老年人对初级保健计划的实施和影响的看法健康团队提高患者体验:提高质量(卫生学方法):描述性定性研究
机译:模拟分析提高高压真空灭弧室内的介电强度
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