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机译:新型对称4H-SiC MESFET:提高击穿电压的有效方法
Semnan Univ, Elect & Comp Engn Dept, Semnan, Iran;
Semnan Univ, Elect & Comp Engn Dept, Semnan, Iran;
Semnan Univ, Elect & Comp Engn Dept, Semnan, Iran;
4H-SiC; MESFET; Gate-drain capacitance; Maximum output power density;
机译:具有改进的击穿电压机制的新型4H-SiC SOI-MESFET可改善电气性能
机译:带有浮动金属条的高击穿电压4H-SiC MESFET
机译:具有提高击穿电压的p型柱的新型4H-SiC MESFET的设计和性能考虑
机译:一种新型3D有源通道高功率4H-SIC MESFET,具有改进的击穿特性
机译:使用与SOI-CMOS兼容的增强击穿电压的MESFET进行节能的RF发送器设计。
机译:改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
机译:改进了DRUS 4H-SIC MESFET,具有高功率的效率