Improved DRUS 4H-SiC MESFET with High Power Added Efficiency

机译：改进了DRUS 4H-SIC MESFET，具有高功率的效率

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Hujun Jia; Yuan Liang; Tao Li; Yibo Tong; Shunwei Zhu; Xingyu Wang; Tonghui Zeng; Yintang Yang;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2019
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Improved MRD 4H-SiC MESFET with High Power Added Efficiency [J] . Shunwei Zhu, Hujun Jia, Xingyu Wang, Micromachines . 2019,第7期

机译：具有高功率附加效率的改进型MRD 4H-SiC MESFET
2. AN IMPROVED SMALL-SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT MODEL FOR 4H-SIC POWER MESFETS [J] . Yuehang Xu, Yunchuan Guo, Ruimin Xu, Microwave and optical technology letters . 2008,第6期

机译：4H-SIC功率MESFET的改进的小信号等效电路模型
3. 4H-SiC MESFET with 65.7% power added efficiency at 850 MHz [J] . Moore K.E., Weitzel C.E. IEEE Electron Device Letters . 1997,第2期

机译：4H-SiC MESFET在850 MHz时具有65.7％的功率附加效率
4. A Novel 3D Active Channel High Power 4H-SiC MESFETs with Improved Breakdown Characteristic [C] . Wen Huang, Yunchuan Guo, Ruimin Xu, Asia Pacific Microwave Conference . 2009

机译：一种新型3D有源通道高功率4H-SIC MESFET，具有改进的击穿特性
5. Design, Analysis, and Optimization of 1.2 kV 4H-SiC Planar-Gate Power MOSFETs for Improved High Frequency Switching [D] . Han, Kijeong. 2019

机译：1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计，分析和优化，用于改进的高频切换
6. Improved DRUS 4H-SiC MESFET with High Power Added Efficiency [O] . Hujun Jia, Yuan Liang, Tao Li, 2020

机译：改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
7. An Improved 4H-SiC MESFET with a Partially Low Doped Channel [O] . Hujun Jia, Yibo Tong, Tao Li, 2019

机译：具有部分低掺杂通道的改进的4H-SiC MESFET
8. High Power, High Efficiency MESFETs and HEMTs [R] . Mishra, U. K. 1995

机译：高功率，高效率mEsFET和HEmT

Improved DRUS 4H-SiC MESFET with High Power Added Efficiency

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅