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氮化物垫片蚀刻工艺的方法及蚀刻终点侦测系统

摘要

本发明是提供一种栅极结构的垫片的制造方法。此方法实施利用第一蚀刻剂气体的第一蚀刻操作。此第一蚀刻操作被设置为利用干涉量测终点(IEP,Interferometry Endpoint)侦测法来检测具有一特定厚度之垫片层的一部分从基板表面上去除的状况,如此留下一垫片薄层。此方法还包含实施利用第二蚀刻剂气体并持续一预定时间的第二蚀刻操作。此第二蚀刻操作被设置为去除垫片薄层而留下栅极结构的垫片。

著录项

  • 公开/公告号CN100468677C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰姆研究有限公司;

    申请/专利号CN02826533.5

  • 发明设计人 周文彬;程士远;杜文江;

    申请日2002-10-23

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张雪梅

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20090311 终止日期:20141023 申请日:20021023

    专利权的终止

  • 2009-03-11

    授权

    授权

  • 2005-08-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-29

    公开

    公开

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