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公开/公告号CN108334706B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201810135800.2
发明设计人 李兴冀;杨剑群;刘超铭;董尚利;
申请日2018-02-09
分类号G06F30/367(20200101);G06F111/08(20200101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人毕雅凤
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 12:34:48
机译: 等效双极测量装置及等效双极估算方法
机译: 具有等效NFET / PFET隔离宽度的差分SG / EG隔离集成,以及双凸起的源极漏极外延硅和三氮化物隔离集成,可在FDSOI上实现高压EG器件
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