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公开/公告号CN112952313B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军海军工程大学;
申请/专利号CN202110107314.1
发明设计人 赵林;朱婷婷;王宁;谢慧;张志刚;吴华宁;冯慧婷;
申请日2021-01-27
分类号H01P1/20(20060101);
代理机构42224 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙);
代理人张英
地址 430033 湖北省武汉市解放大道717号
入库时间 2022-08-23 12:33:52
机译: 直接带隙光学有源器件在基于间接带隙的基板上的集成
机译: 基于锑的半导体器件的高带隙隧道连接
机译: 基于高带隙和高K材料,特定器件和制造的混合物的非晶多组分介电体
机译:基于形态学控制的基于二酮吡咯并吡咯的低带隙聚合物的化学结构与器件性能的关系
机译:Cdingas4:一种未探测的二维材料,具有理想的光电器件带隙
机译:制造锗,一种间接带隙半导体,适用于发光器件-IOPscience
机译:缺陷感应微波带隙结构在无损评估中的应用及选频开关的构建
机译:使用基于溶液的钛亚氧化物界面层提高高和低带隙聚合物有机光伏器件的稳定性。
机译:通过添加低带隙共轭聚合物增强了本体异质结有机光伏器件的光伏性能
机译:基于宽的带隙半导体的微/纳米器件
机译:低带隙,单片,多带隙,光电器件。