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宋爱武; 李富华I; 黄祥林; 孙波;
苏州大学 江苏苏州215000;
坤元微电子有限公司 江苏苏州215000;
上电复位电路; Brokaw带隙基准; 电流比较电路; 迟滞;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:低复杂度0.55V2.5μW带隙基准和上电复位混合电路
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机译:总电离剂量和剂量率对(正负)BJT带隙基准的影响
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:用于单片带隙基准和温度传感器的双极晶体管
机译:带隙基准电压电路和使用该电路的上电复位电路
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