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一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备

摘要

一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备。本发明包括底座、支撑架、顶梁和第一直线导轨,第一直线导轨上安装有滑鞍,滑鞍左端设置有锑化镓单晶片表面打磨机构;滑鞍右端与第一横向推进机构连接;支撑架左侧设置有第二直线导轨,第二直线导轨上安装有升降座,升降座与升降机构连接升降座上设置有第二电机,第二电机输出轴连接真空吸盘,锑化镓单晶片安装在真空吸盘上;底座的左上端设置有柜体,柜体的上端设置有第三直线导轨,第三直线导轨上安装有侧面打磨机构。本发明结构简单,自动化程度高,能够对2‑5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片上下表面以及侧面进行快速打磨,打磨效果好,效率高,解决了传统手工打磨不均,打磨效率低等缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN109366322B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南大合新材料有限公司;

    申请/专利号CN201811393394.6

  • 发明设计人 王歆;吴秀丽;陈琳;

    申请日2018-11-21

  • 分类号B24B27/00(20060101);B24B7/22(20060101);B24B9/06(20060101);B24B41/06(20120101);

  • 代理机构11308 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人金海荣

  • 地址 421000 湖南省衡阳市石鼓区松木经开区松枫路三期创业基地18栋

  • 入库时间 2022-08-23 12:33:29

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