公开/公告号CN109366322B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南大合新材料有限公司;
申请/专利号CN201811393394.6
申请日2018-11-21
分类号B24B27/00(20060101);B24B7/22(20060101);B24B9/06(20060101);B24B41/06(20120101);
代理机构11308 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人金海荣
地址 421000 湖南省衡阳市石鼓区松木经开区松枫路三期创业基地18栋
入库时间 2022-08-23 12:33:29
机译: 包含铝,镓,铟,砷和锑的化合物的半导体组件具有台面结构,其侧面具有铝,镓,砷和锑的化合物的钝化层。
机译: 用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译: 用于计算机断层摄影设备中的辐射探测器,用于探测例如X射线辐射,具有由砷化铟,磷酸铟,锑酸镓,氧化锌,氮化镓或碳化硅制成的中间层