提高10.16,cm砷化镓晶片单面精抛表面质量的工艺研究

摘要

在半导体制造工艺中,要获得一个平滑、光亮、无损伤层的表面,需要对半导体晶片进行表面精抛.国际上主要采用化学机械混合同时抛光,获得的晶片表面平整、光洁度好、机械损伤小.目前砷化镓材料的抛光液配方较多,但工艺条件比较严格,抛光结果并不理想.从抛光转速、抛光压力、抛光液 3 方面进行试验设计与研究,并对结果进行讨论,最终得到了一种稳定、重复性好的10.16,cm砷化镓单面精抛工艺.