公开/公告号CN109507006B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中科芯电半导体科技(北京)有限公司;
申请/专利号CN201811563848.X
申请日2018-12-20
分类号G01N1/32(20060101);G01N21/00(20060101);G01M11/02(20060101);H01S5/343(20060101);H01S5/183(20060101);
代理机构11357 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张素红
地址 100076 北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层(中科芯电)
入库时间 2022-08-23 12:33:27
机译: 垂直腔表面发射激光器(VCSEL)二极管中的分布式布拉格反射器(DBR)结构,其制造方法以及VCSEL二极管
机译: 垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管中的分布式布拉格反射器(DBR)结构,其制造方法以及VCSEL二极管
机译: SiC基体评估方法,SiC外延片制造方法和SiC外延片