同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法

摘要

本发明公开了一种同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法，通信芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备，所述硅衬底氮化镓晶圆从上至下依次包括p‑GaN层、InGaN多量子阱层、InGaN波导层、AlGaN包覆层、n‑GaN层、缓冲层和硅衬底层，缓冲层上设置光源、探测器和有源波导，所述光源、探测器和有源波导均包括p‑n结、绝缘隔离层、p型电极和n型电极，各p‑n结通过对所述硅衬底氮化镓晶圆刻蚀而成。本发明能够解决异质集成通信芯片器件制备工艺复杂，不能晶圆级集成等问题，简化了制备工艺，传输损耗小，可应用于光通信和光传感领域，能够实现更长距离的片上光信号传输。