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一种耐高压的ESD保护器件、结构及制备方法

摘要

本发明提供一种耐高压的ESD保护器件、结构及制备方法,所述耐高压的ESD保护结构包括ESD保护模块和保护环;所述保护环位于所述ESD保护模块的外周,所述保护环用于减少所述ESD保护模块对外界的干扰;所述耐高压ESD保护器件包括多个保护环和多个高压ESD保护模块;各个保护环通过相互连接形成一个整体;各个保护模块之间相互并联。本发明解决了高压ESD保护器件的耐高压问题,通过利用多种类型的二极管连接形成稳压结构,实现了高压ESD保护,同时提出了利用分割保护环对其进行屏蔽的设计,提升了整体耐压能力。所以,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN113192952B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 微龛(广州)半导体有限公司;

    申请/专利号CN202110740418.6

  • 申请日2021-07-01

  • 分类号H01L27/02(20060101);H01L21/8222(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人余明伟

  • 地址 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元

  • 入库时间 2022-08-23 12:32:32

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