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公开/公告号CN113192952B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 微龛(广州)半导体有限公司;
申请/专利号CN202110740418.6
发明设计人 刘森;刘筱伟;刘海彬;向可强;班桂春;
申请日2021-07-01
分类号H01L27/02(20060101);H01L21/8222(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人余明伟
地址 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
入库时间 2022-08-23 12:32:32
机译: 带有用于防止静电放电的基座的MOS晶体管结构,在MOS晶体管基极上提供了ESD保护器件,并且通过ESD保护晶体管生成了晶体管配置
机译: 与CMOS工艺兼容的ESD保护器件结构
机译:HgPbP14结构类型材料的一种新制备方法:Cu0.73(1)Sn1.27(1)P14的晶体结构以及M1-xSn1 + xP14(M = Cu,Ag)和AgSbP14的表征
机译:一种经济高次放电控制结构,提高移动产品的系统级ESD免疫力
机译:一种新型DTSCR,具有变化的横向基极掺杂结构,可提高导通速度,以实现ESD保护
机译:一种简单有效的ESD保护结构,用于耐高压I / O焊盘
机译:用于深亚微米ESD保护器件的衬底电阻的建模和表征。
机译:细菌纤维素-电纺纳米纤维杂化结构的一种新的原位自组装制备方法
机译:一种改进的含有热敏生物缺血剂的纳米结构脂质载体的制备方法
机译:sURLasTILILITÉ,LEs解决方案pÉRIODIQUEsETLaRÉsOLUTIONDECERTaINEsCaTÉGORIEsD'ÉQUaTIONsETYsTÉmEsD'ÉQUaTIONsDIFFÉRENQUELLEsCOUpLÉEsNONINÉÉEsEsDEsassIssaNDaNs LEsLCIEsLLaTIONsBÉTaTRONIQUEs