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机译:一种新型DTSCR,具有变化的横向基极掺杂结构,可提高导通速度,以实现ESD保护
electrostatic discharge (ESD); double triggered silicon controlled rectifier (DTSCR); variation lateral base doping (VLBD); built-in electric field; turn-on speed;
机译:一种新型DTSCR,具有变化的横向基极掺杂结构,可提高导通速度,以实现ESD保护
机译:采用虚拟门结构制造的SCR器件可提高开启速度,从而在CMOS技术中提供有效的ESD保护
机译:基于过渡区掺杂变化的改进型异质结构耿氏振荡器的仿真
机译:过程变化对多指栅极耦合NMOS ESD保护装置的导通电压的影响
机译:高速接口IC中ESD保护的区域高效设备优化
机译:具有Ruddlesden-Pop结构的CaSrBa掺杂BaLaInO4中质子的结合和传导
机译:利用虚拟门结构实现片上EsD保护,提高衬底触发可控硅器件的导通速度