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一种耐压亚阈值CMOS基准源电路

摘要

一种耐压亚阈值CMOS基准源电路,包含启动电路,主体电路和升压电路,启动电路用于保证主体电路的正常开启,所述的主体电路用于产生基准电压vbg,升压电路用于将基准电压vbg升高到基准参考电压vref。通过在电源电压vdd和基准电压vbg之间增加多层晶体管,提高了亚阈值CMOS基准源的耐压性,同时提高了亚阈值CMOS基准源的精度及电源电压抑制比。

著录项

  • 公开/公告号CN110096091B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海复旦微电子集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201910499414.6

  • 申请日2019-06-11

  • 分类号G05F1/575(20060101);

  • 代理机构31323 上海元好知识产权代理有限公司;

  • 代理人张妍;张静洁

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-23 12:30:52

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