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公开/公告号CN110096091B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 上海复旦微电子集团股份有限公司;
申请/专利号CN201910499414.6
发明设计人 崔冰;徐灵炎;沈磊;赵凯;刘跃智;俞剑;
申请日2019-06-11
分类号G05F1/575(20060101);
代理机构31323 上海元好知识产权代理有限公司;
代理人张妍;张静洁
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 12:30:52
机译: 具有低亚阈值漏电流的高可信度触发器和多阈值CMOS锁存电路
机译: 用于亚阈值数字CMOS电路的电源电压控制电路,包括微小电流发生器和受控输出电压发生器电路
机译: 用于亚阈值数字CMOS电路的电源电压控制电路,包括微型电流发生器和受控输出电压发生器电路
机译:高迁移率材料对近阈值和亚阈值CMOS逻辑电路性能的影响
机译:亚阈值CMOS电路组成的阈值逻辑器件
机译:由亚阈值CMOS电路组成的1- 600-电流参考电路
机译:一种新颖的比例逻辑样式,用于基于90 nm CMOS及以下的更快亚阈值数字电路
机译:低功耗数字基带内核,用于使用CMOS子阈值/近阈值电路的无线微神经接口。
机译:基于等效电路模型的亚阈值区域CMOS太赫兹等离子体检测器的准静态分析
机译:由亚阈值CMOS电路组成的阈值逻辑器件
机译:多阈值互补金属氧化物半导体(mTCmOs)总线电路和通过脉冲待机开关降低总线功耗的方法。