基于TiN的GaN基HEMT无金欧姆接触电极的制备方法

摘要

本发明公开了基于TiN的GaN基HEMT无金欧姆接触电极的制备方法。该方法包括：光刻形成源漏电极图形；对源漏电极图形处的GaN基外延进行表面处理；沉积无金源漏电极金属层，剥离形成源漏电极；对沉积源漏电极后的GaN基HEMT进行退火处理，形成无金源漏欧姆接触电极。本发明采用低温磁控溅射TiN薄膜，通过后期退火合金促进TiN重新结晶并与其它电极金属发生固相反应，使低温溅射TiN的导电性大大提升，避免高温制备TiN薄膜过程，有利于降低工艺温度、简化工艺流程，提升工艺兼容性，有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。