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李先辉;
华南理工大学;
机译:Ti / Al / Ti / TiW用于无掺杂AlGaN / GaN HEMT的无金低温欧姆接触
机译:恒定电流应力下AlGaN / GaN HEMT上无金欧姆接触的稳定性评估
机译:适用于AlGaN / GaN功率HEMT的无铝Ti / Mo / Ta / Au基n型欧姆接触,表面光滑
机译:直接比较采用无金技术在200mm硅基GaN上处理的基于GaN的e-模式架构(嵌入式MISHEMT和p-GaN HEMT)
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:基于Ta基欧姆接触和PECVD SiN钝化的InAlN / AlN / GaN HEMT的评估
机译:具有重掺杂n + -GaN欧姆接触2DEG的自对准栅GaN-HEmT。
机译:gan基器件的欧姆接触电极的制备方法
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
机译:具有嵌入式栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),该栅电极具有第一凹槽部分和第二凹槽部分以改善漏极击穿电压
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