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具有辅助电极层的硅电极及其制备方法、应用和专用夹具

摘要

本发明公开了一种具有辅助电极层的硅电极及其制备方法、应用和专用夹具。所述硅电极包括重掺杂硅基体、隔离层、辅助电极层、绝缘层和导电端;主电极表面设置有厚度为亚微米尺度的辅助电极,二者独立供电,分时、切换参与电解加工。其专用夹具使硅电极高速旋转,形成主电极为等效圆形、辅助电极为等效环形的电极截面结构,并且实现主、辅电极的独立、稳定导电功能;最终形成主电极粗加工、辅助电极精修的微细电解加工工艺应用,进而减小了微结构的侧壁锥度和圆弧过渡区,提高了其形状精度。

著录项

  • 公开/公告号CN111843074B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN202010535403.1

  • 发明设计人 李勇;刘国栋;钟昊;佟浩;谈齐峰;

    申请日2020-06-12

  • 分类号B23H3/02(20060101);B23H3/06(20060101);B23H11/00(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人肖阳

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2022-08-23 12:28:07

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