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公开/公告号CN111843074B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN202010535403.1
发明设计人 李勇;刘国栋;钟昊;佟浩;谈齐峰;
申请日2020-06-12
分类号B23H3/02(20060101);B23H3/06(20060101);B23H11/00(20060101);
代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人肖阳
地址 100084 北京市海淀区清华园
入库时间 2022-08-23 12:28:07
机译: 半导体器件金属氧化物半导体晶体管,具有带有多晶硅层的栅电极,该多晶硅层具有反向锥形部分以扩大栅电极和接触塞之间的距离
机译: 半导体元件在基板表面上具有电极-具有四层电极组件,其上下电极夹着非晶硅和硅绝缘膜
机译: 具有硅锗基极区的互补晶体管的制造包括在晶片上彼此相邻形成集电极区,并通过每个集电极区逐步沉积由锗置换的硅层。
机译:有机硅倍半氧烷插层膨润土粘土修饰电极的表征和(生物)电化学应用
机译:具有高/ c介电氧化物层和金属栅电极的应变InGaAs沟道n型金属氧化物半导体场效应晶体管的技术计算机辅助设计仿真研究
机译:具有p型和n型区域的硅膜的电化学蚀刻停止技术及其在神经筛电极中的应用
机译:具有硅电极的薄型燃料电池的开发:原子层沉积以及通过电化学层沉积评估Pd和Pt
机译:具有纳米催化剂的化学修饰电极及其逐层自组装纳米薄膜:制备,表征和应用。
机译:具有重叠扩散层的微电极阵列作为电分析检测器:理论和基本应用
机译:用于金属辅助多孔硅蚀刻的同侧铂电极。