公开/公告号CN105845686B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-03
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201610059788.2
申请日2016-01-28
分类号H01L27/1157(20170101);H01L49/02(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 12:25:44
机译: 具有闪存和/或高k金属栅极CMOS技术的MIM或MIP电容器的集成技术
机译: 具有闪存和/或高k金属栅极CMOS技术的MIM或MIP电容器的集成技术
机译: 具有高k金属栅极的CMOS器件的部分牺牲伪栅极