有金属氧化物半导体变容二极管的半导体器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种具有MOS变容二极管的半导体器件及其制造方法。MOS变容二极管包括金属栅极电极、置于金属栅极电极和半导体衬底之间的有源半导体板、和置于金属栅极电极和有源半导体板之间的电容器介电层。另外，下部绝缘层将MOS变容二极管与半导体衬底绝缘。根据本发明，金属栅极电极用于减少多晶硅耗尽，从而增大变容二极管的调谐范围，并制造可靠的金属电阻器而无需额外的光掩模。