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晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺

摘要

本发明公开晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,铅锡合金凸块形成工艺包括以下步骤:S1:硅通孔工序,在晶圆的正面蚀刻形成沉孔,S2:金属填充,在沉孔内填充金属,S3:正面黄光工艺,在晶圆的正面进行黄光工艺,在晶圆的正面形成正面重布线层,S4:键合,通过粘合剂将晶圆的正面键合在玻璃载板上,S5:减薄,对晶圆的背面进行减薄,使沉孔露出形成通孔,S6:背面黄光工艺,S7:玻璃载板开窗,S8:两面UBM,S9:双面黄光工艺,S10:双面电镀,S11:去光阻,S12:去UBM,S13:解键合。本发明晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺通过开窗式玻璃载板,实行同时双面凸块工艺,不须凸块的包覆与去除工序,提高了品质与生产力,减少了不良品的产生,降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN111524820B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 绍兴同芯成集成电路有限公司;

    申请/专利号CN202010357057.2

  • 发明设计人 严立巍;李景贤;陈政勋;

    申请日2020-04-29

  • 分类号H01L21/60(20060101);H01L21/683(20060101);

  • 代理机构11357 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王依

  • 地址 312000 浙江省绍兴市越城区银桥路326号(原永和酒业)1幢1楼113室

  • 入库时间 2022-08-23 12:23:39

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