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公开/公告号CN110995169B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN201911199487.X
发明设计人 徐志伟;张梓江;李娜雨;厉敏;王绍刚;高会言;宋春毅;
申请日2019-11-29
分类号H03F1/02(20060101);H03F1/30(20060101);H03F3/16(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人贾玉霞
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2022-08-23 12:15:42
机译: 用于线性射频HBT功率放大器的温度补偿片上偏置电路
机译: 混合混频器和可变增益放大器的CMOS温度补偿发射电路
机译:具有直流失调抵消功能的温度补偿dB线性数控可变增益放大器
机译:具有增强的IP1 dB和温度补偿功能的宽动态范围可变增益放大器
机译:具有温度补偿和分贝线性增益控制的高动态范围可变增益放大器
机译:片上60-GHz CMOS人造磁导体片上2X2单极 - antenna相控阵RF接收系统,具有集成的可变增益低噪声放大器和相移器
机译:RF应用的温度补偿双极可变增益放大器设计
机译:垂直泵浦法的聚合物-二氧化硅混合片上放大器
机译:1-30 GHz超宽带低噪声放大器,具有片上温度补偿电路
机译:一种用于闪烁光谱应用中驱动长同轴线的温度补偿前置放大器