首页> 外国专利> Temperature compensated on-chip bias circuit for linear RF HBT power amplifiers

Temperature compensated on-chip bias circuit for linear RF HBT power amplifiers

机译:用于线性射频HBT功率放大器的温度补偿片上偏置电路

摘要

An RF amplifier is disclosed having a first and second current mirror module. The first and second current mirror modules each provide current to affect the quiescent bias current of the RF amplifier.
机译:公开了一种具有第一和第二电流镜模块的RF放大器。第一和第二电流镜模块各自提供电流以影响RF放大器的静态偏置电流。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号