一种MoS₂/WS₂垂直异质结的制备方法

摘要

本发明公开了一种MoS₂/WS₂垂直异质结的制备方法，以WO₃和硫粉作为前驱体，在SiO₂/Si基底上制备大尺寸高质量的单层二硫化钨，利用Mo箔的电化学阳极氧化法制备多价态氧化钼箔(MoO_x)，在低压低温条件下，以氧化钼箔和硫粉为前驱体在二硫化钨表面生长二硫化钼，从而制备MoS₂/WS₂垂直异质结，这种方法可控性与可重复性高，对其他过渡金属硫化物异质结的制备具有重要的意义。