一步CVD法制备WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结及其表征

摘要

本文主要研究了WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结的制备及其光电性能。以氧化钼(MoO_(3))、氧化钨(WO_(3))、硫粉(S)作为反应物,采用改良的一步化学气相沉积法(CVD)实现高质量的WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结的制备。使用拉曼光谱仪(Raman)、光致发光光谱仪(PL)、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)等设备,对异质结的形貌、元素组成等进行了表征。最后制备了基于WS_(2)-MoS_(2)异质结的光电探测器,测量了包括输出特性曲线、转移特性曲线、光电流曲线等光电特性。经测试,WS_(2)-MoS_(2)异质结光电探测器在532 nm激光模式下展现了良好的光响应特性,使其能应用于高效率的光电子器件的制备,在微电子学领域具有广阔的应用前景。