公开/公告号CN109767980B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201910060771.2
发明设计人 肖培;
申请日2019-01-22
分类号H01L21/3065(20060101);H01L21/308(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 12:13:37
机译: 具有成角度的沟槽的超级结,具有超级结的晶体管及其制造方法
机译: 超级结MOSFET的制造方法及其制造的超级结MOSFET
机译: 超级结碳化硅半导体器件及制造超级结碳化硅半导体器件的方法