超级结沟槽刻蚀对击穿电压均匀性的改善

摘要

超级结器件和传统功率器件相比有导通电阻低击穿电压高的特点,在汽车电子、低压电机、变频器、逆变器、电压控制器件和变压器等领域,具有越来越广泛的应用.本文针对如何改善超级结器件的击穿电压参数问题,从深沟槽的刻蚀工艺参数优化和硬件改造(BSR)等方面开展了研究,最终确定了以SF6/02为主刻蚀气体,反应压力在30～35 mT,温度为15℃等为基准的刻蚀工艺条件.针对晶圆边缘的针状缺陷这一缺陷问题对机台进行了改造,开发了一种称为BSR(bottom shadow ring)的部件,加入这一部件后能够完全消除边缘缺陷同时对均匀性有了进一步的提升.从而改善超级结器件击穿电压参数的均匀性和稳定性同时提高了产品成品率.这一研究为超级结芯片的国产化做出了贡献.